是功率半导体利用的难点，涉及到功率半导体的动态历程节造及器件的回护，实验性很强。为了轻易告终牢靠的驱动安排，英飞凌的驱动集成电途自带了少许要紧的效用，本系列著作以阅读杂道的形式解说若何无误贯通和利用这些效用，也发起读者保藏和阅读推选的材料以作参考。

　　驱动电途有两类，隔绝型的驱动电途和电平移位驱动电途，他们对电源的央浼纷歧律，隔绝型的驱动电途必要隔绝电源，驱动集成电途通常都撑持正负电源，而电平移位驱动电途通常采用自举电源，通常是单极性正电源。

　　分其它驱动脉冲的幅值决议了器件的饱和压降即静态损耗，以IKW40N120T2 40A 1200V IGBT为例，当驱动脉冲幅值为VGE=15V，50A时的饱和压降正在2.7V，借使下降到VGE=11V时，饱和压降上升到3.5V，借使再降栅压，IGBT就将退出饱和，静态损耗快速填补，这即是为什么驱动器会带UVLO效用。反过来，借使驱动电压进步，VGE=17V，饱和压降降到2.5V，能够有用下降导通损耗。

　　IGBT短途秉承才略是与驱动正电压相合，驱动电压VGE高，短途电流大，短途秉承韶华短，反过来驱动电压低短途电流幼，短途秉承韶华长，见下表。当驱动电压上升到18V，短途电流会填补45%。而短途秉承韶华从10us，降到了6us，而静态损耗下降了10%。

　　关于采用无磁芯变压器的驱动IC，能够2us内合断IGBT短途电流，可是过疾的短途反响正在高噪声境遇中绝顶容易误触发。其余，妥贴进步驱动电压有时是可行的，但要注视到，短途产生时，因为米勒电容，栅极电压被抬高，这时就很伤害。

　　负电压能够进步功率器件的抗作对才略，也能够加疾合断速率，负电压能够正在章程限造内选择，合键探讨抗作对才略，驱动功率（由于驱动功率与∆U成正比，PGE=fSW·QG·ΔU，负电压大，必要驱动功率大）和电源拓扑的丰富水平。

　　当开明半桥中的下桥臂IGBT时，上桥臂的IGBT/二极管两头的电压会产生dvCE/dt蜕变。这会出现米勒电流iCG，从而对上桥臂的IGBT寄生电容CCG充电。电容CCG和CGE酿成一个电容分压。电流iCG流经米勒电容、串联电阻、CGE和直流母线。借使栅极电阻上的压降逾越IGBT的阈值电压，就会浮现寄生导通。足够幅值的负电压能够拉低栅极电压，很好地避免寄生导通。

　　借使开合器件没有辅帮发射极，或者是驱动环途寄生电感比力大时，固然器件自己处于合断形式下，可是对管或者其他相功率器件开明出现di/dt会正在该器件上出现一个电压VσE2：，如此大概有寄生开透危害。

　　比方当开明IGBT T1时，主电流将从续流二极管D2换向至IGBT1。二极管反向收复电流减幼历程中出现的diC2/dt会正在LσE2上出现感到电压，并将T2的内部发射极电平拉到负值，变相进步了驱动电压。

　　借使通过高diC/dt出现的感到电压高于IGBT的阈值电压，则会导致IGBT T2寄生导通。

　　驱动的负电压是针对GND2的，并且对稳压精度央浼不高，往往不必要用变压器两个绕组来告终，容易的手法通过电源芯片告终。

　　借使要出现+15V，-7.5V的正负电压，容易的手法是通过倍压整流告终，倍压整流道理和安排请参考评估板EVAL-2EP130R-VD带双输出倍压整流的2EP130R变压器驱动器评估板的利用手册，节造芯片全桥变压器驱动器集成电途，。

　　借使要灵动安排负电压值，也能够抉择英飞凌2EP130系列全桥变压器驱动器集成电途，其占空比和开合频率皆可调解。借使采用下图如此的峰值整流电途，能够大大缩减器件数目。而且该芯片会遵照占空比来实行过流回护，供应电源牢靠性。安排能够参考评估板：EVAL-2EP130R-PR，拥有双输出峰值整流和可定造的输出电压，实用于MOSFETS和IGBT。